Fotodiode P-I-N

Este cel mai raspandit fotodetector. Contine 3 straturi semiconductoare. Straturile „p” si „n”, de regula, sunt puternic dopate ( ). Stratul „i” cu grosimea „d” este foarte putin dopat si poseda o concentratie foarte mica de impuritati donoare ( ).

Structura fotodiodelor p – i –n are structura urmatoare unde:  - puterea optica incidenta;   - puterea optica reflectata;   - puterea optica absorbita;   - grosimea stratului de sarcina spatiala;   - intensitatea campului electric fara polarizare inversa si la polarizarea cu tensiunea   respectiv.
   
Aplicand fotodiodei tensiunea  , in stratul „i” se formeaza o regiune de sarcina spatiala largita cu intensitatea campului electric  . De regula, tensiunea   se alege in asa mod ca stratul  de sarcina spatiala sa acopere toata grosimea stratului „i.