Studiul dispozitivelor optoelectronice bazate pe efectul fotovoltaic

Incarcat la data: 01 Iunie 2010

Autor: VaLyy_Cvh

Pret: 50 credite

Numar pagini: 5

Tip fisier: zip

Marime fisier: 134 kb

Efectul fotovoltaic consta in aparitia unei tensiuni electromotoare intr-un semiconductor iluminat. Interactiunea dintre un solid si undele electromagnetice determina, printre alte fenomene, absorbtia radiatiei incidente. in cazul semiconductorilor, unul din mecanismele absorbtiei consta in tranzitia unui electron din banda de valenta in banda de conductie (in urma absorbtiei unui foton).

In consecinta numarul purtatorilor de sarcina liberi creste, ceea ce determina cresterea conductivitatii electrice, fenomen numit fotoconductibilitate (sau efect fotoelectric intern). Generarea perechilor electron-gol sub sectiunea luminii este o conditie necesara pentru producerea efectului fotovoltaic dar nu si suficienta. Noii purtatori de sarcina trebuie sa se redistribuie, determinand aparitia unei diferente de potential intre suprafata iluminata si cea neiluminata. Redistribuirea poate fi determinata de:
1) generarea neuniforma a purtatorilor de sarcina intr-un semiconductor omogen (efectul Dember);
2) un camp intern local din semiconductor care poate fi realizat prin doparea diferita a semiconductorului (jonctiune p-n);
3) un gradient al timpului de viata al purtatorilor de sarcina;
4) prezenta unui camp magnetic (efectul fotoelectromagnetic), etc.

Intr-un semiconductor intrinsec, banda de conductie este nepopulata la 0K si este separata printr-o banda interzisa Eg de banda de valenta ocupata. Diferenta dintre valoarea maxima a energiei in banda de valenta si valoarea minima in banda de conductie determina valoarea minima a intervalului de energie interzis.

Intr-un semiconductor extrinsec, nivelele energetice ale impuritatilor se gasesc in zona interzisa, maiaproape de marginea inferioara a zonei de conductie pentru atomii donori si in vecinatatea marginii superioare a zonei de valenta pentru atomii acceptori. Deoarece diferenta de energie dintre nivelele impuritatilor si marginea zonei de valenta sau de conductie este mica (?0,01 eV) chiar la temperatura camerei, energia termica este suficienta pentru ionizarea acestor atomi. Acest lucru explica cresterea conductibilitatii electrice determinate de impuritati.

Textul de mai sus reprezinta un extras din "Studiul dispozitivelor optoelectronice bazate pe efectul fotovoltaic". Pentru versiunea completa a documentului apasa butonul Download si descarca fisierul pe calculatorul tau. Prin descarcarea prezentei lucrari stiintifice, orice utilizator al site-ului www.studentie.ro declara si garanteaza ca este de acord cu utilizarile permise ale acesteia, in conformitate cu prevederile legale ablicabile in domeniul proprietatii intelectuale si in domeniul educatiei din legislatia in vigoare.

In cazul in care intampini probleme la descarcarea fisierului sau documentul nu este nici pe departe ceea ce se doreste a fi te rugam sa ne anunti. Raporteaza o eroare

Important!

Referatele si lucrarile oferite de Studentie.ro au scop educativ si orientativ pentru cercetare academica.

Iti recomandam ca referatele pe care le downloadezi de pe site sa le utilizezi doar ca sursa de inspiratie sau ca resurse educationale pentru conceperea unui referat nou, propriu si original.

Alti utilizatori au mai cautat: ELECTROTEHNICALABORATORefect de seradispozitive optoelectronice
Sandale casual dama ECCO Touch Plateau (Negre) Sandale casual dama ECCO Touch Plateau (Negre) Sandalele ECCO Touch Plateau sunt confectionate din piele moale cu detalii metalice(tinte). Sunt...