Referat Fizica. Diode semiconductoare

label Referate autorenew 2025-09-29, 16:56 history_edu Gabi Dobocan
Diode semiconductoare-prelucrarea datelor-Scopul lucrarii il reprezinta determinarea caractristicilor statice ale unor diode, atit in polarizare directa cit si inversa, precum si analiza comportarii diodelor in regim termic la semnal mic si joasa frecventa.Observatiile se efectueaza asupra a patru diode:D1- dioda cu germaniu;D2- dioda cu siliciu de mica putere;D3- dioda stabilizatoare de tensiune;D4- dioda cu siliciu, de putere medie;Rezistentele Rk permit polarizarea diodei iar rezistentele Rsn permit aplicarea semnalului de la generatorul de audiofrecventa si masurarea efectiva a curentilor prin dioda.Polarizarea directaPrima parte a lucrarii se efectueaza pe montajul descris in fig.1 asupra a trei din cele patru diode si anume D1, D2 si D4. Determinarile experimentale sint trecute in tabelul 1.Cu ajutorul datelor din tabelul 1 se reprezinta graficele 1 si 2.Se aleg IDM=200 mA si =0.01 (din conditiile de lucru ale diodei)Pentru dioda D1 se determina : VD=0.281-0.031=0.250 VRD= VD/ iD=1.262 iD=200-2=198 mADin grafic: V =0.028 VDin calcul:V =VD-RDIDVD=0.881 VV =0.0286 ViD=200 mAPentru dioda D4 se determina: VD=0.61-0.40=0.210 VRD= VD/ iD=1.061 iD=200-2=198 mADin grafic: V =0.390 VDin calcul:V =VD-RDIDVD=0.61 VV =0.3978 ViD=200 mAO aproximatie mult mai exacta pentru a caracteristicii experimentale se obtine pentru IDM=700 mA si =0.1Pentru dioda D1: VD=0.348-0.228=0.120 VRD= VD/ iD=1.061 iD=700-70=198 mADin grafic: V =0.215 VV =VD-RDIDVD=0.348 VV =0.215 ViD=700 mAPentru dioda D4: VD=0.683-0.54=0.14 VRD= VD/ iD=0.22 iD=700-70=630 mADin grafic: V =0.529 VDin calcul:V =VD-RDIDVD=0.683 VV =0.529 ViD=700 mASe determin apoi pentru fiecare dioda parametrii Io, si Rs:Pentru dioda D1:lg Io=-4.85 =>Io=0.014 mA = VD/ lg iD*(q lg e/kT) VD=0.44-0.020=0.024 V =0.416 V lg iD=1VD=0.348 ViD=700 mARS=0.336 Pentru dioda D4:lg Io=-7.55 =>Io=0.044 A = VD/ lg iD*(q lg e/kT) VD=0.285-0.2=0.085 V =1.476 V lg iD=1VD=0.348 ViD=700 mARS=0.101 Pentru dioda D2:lg Io=-8.72 =>Io=1.905 nA = VD/ lg iD*(q lg e/kT) VD=0.42-0.33=0.09 V =1.563 V lg iD=1VD=0.67 ViD=11.4 mARS=5.26 Pe baza montajului din figura 2 se fac masuratorile din tabelul 2. Cu ajutorul acestora se traseaza caracteristica iD(VD) din graficul.3 corespunzatoare diodelor D1 si D4 in polarizare inversa.Cu datele din tabelul.3 se obtine in graficul.4 caracteristica ID(VD), VD 0, pentru dioda stabilizatoare de tensiune D3 aflata in montajul din figura.3. De pe acest grafic se determina:Izmin= -0.9 mARz= Vz/ Iz Vz=-0.656-(-0.668)=0.0116 VRz=12.7 Iz=-1-(-1.9)=0.9 mAIn tabelul 4 au fost trecute datele obtinute la punctul 4 al lucrarii, masuraturi efectuate pe baza montajului din figura4. Tabelul se complecteaza cu valorile teoretice ale rezistentei interne in regim dinamic Ri calculate cu relatia:Ri=0.026 /IDpentru diodele D1 si D2. Pentru comparatie s-a completat tabelul 5.Au fost determnate anterior pentru dioda :D1: 1=0.416D2: 2=1.563Tabelul. 5ID [mA]7.0911.1010.1060.011D1Ri masurat[ ]5.1727.17173.28478.04Ri calculat[ ]1.5259.824101.87999.63ID [mA]6.7631.0520.1050.010D2Ri masurat[ ]5.7938.49396.942981Ri calculat[ ]6.0138.62386.43885