1. Jonctiunea pn
Reprezinta o structura fizica realizata intr-un monocristal care are doua regiuni vecine, una de tip p alta de tip n. Linia de demarcatie dintre ele se numeste jonctiune tehnologica.
Marea majoritate a dispozitivelor semiconductoare contin una sau mai multe jonctiuni pn. Cel mai simplu dispozitiv electronic realizat cu o singura jonctiune pn este dioda semiconductoare. (Nu trebuie confundata jonctiunea pn cu notiunea de dioda semiconductoare intrucat aceasta poate fi realizata si pe baza altor structuri fizice cum este de exemplu contactul metal semiconductor. in plus dioda contine si contactele ohmice, sistemele de prindere si evacuare a a caldurii (capsula), etc.
1.1. Procese la echilibrul termic
Curentul de difuzie apare datorita difuziei purtatorilor mobili de sarcina. Astfel golurile din regiunea p, aflate in concentratii mari, difuzeaza spre regiunea n unde concentratia lor este mai mica. Aici ele se recombina datorita tendintei semiconductorului de tip n de restabili echilibrul. in mod similar electronii din zona n difuzeaza spre zona p. Difuzia incepe cu purtatorii din zona adiacenta jonctiunii metalurgice. Prin plecarea golurilor apare un exces de sarcina negativa datorat ionilor acceptori (sarcini fixe). Zona n din apropierea jonctiunii metalurgice capata o sarcina in exces pozitiva, prin acelasi procedeu. Ca urmare se stabileste un camp electric intern orientat de la regiunea n spre regiunea p. Acest camp electric transporta golurile dinspre regiunea n spre regiunea p si electronii dinspre regiunea p spre regiunea n, deci in sens contrar curentilor de difuzie. Ca urmare procesul de scadere a concentratiilor de purtatori majoritari nu se continua pana la uniformizarea concentratiilor (conform tendintei de difuzie) ci se autolimiteaza (prin generarea campului electric intern) la valori care asigura echilibrul curentilor de difuzie si de camp.
