Referat DCE. Regimul dinamic al tranzistorului

Regimul dinamic al tranzistorului BipolarDeterminarea parametrilor F, o, gm, rbeTabelul 1Vcc[V]Vce[V]Ic[mA]VBB[V]VBE[V]V[mV]V0[mV] F 0Gm[mA/V]Ri=rbc[K 8411.030.6235.58 405.9712421.430.6160.217243.9292853.4316431.820.6390.624252.1270.81202.2620442.200.64110.435256.4322.81751.85201221.350.615218270.2360904Relatiile de calcul folosite pentru completarea tabelului 1: F=RbIc/VBBVBE,Rb=100K 0=1000V0/V-VI,VI=2mVgm=10V0/VIRi=100Vi/V-ViPe baza datelor din Tabelul 1 au fost trasate graficele din fig 1 si 2.Determinarea rezistentei de iesire a tranzistorului rCETabelul 2Ic[mA]12342VCE[V]444412V[V]2.142.222.312.42.16rCE[K ]42.8627.2719.351537.5Relatia de calcul folosita in tabelul 2:rCE=12/(V-V0)-4,V0=0.5VAmplificatorul cu tranzistorul in ECTabelul 3Vi=2mVExperimentalCalculatR2[K ]V[mV]Vo[mV]AvAiRi[K ]AvAiRi[K ]Ic=1mAVCE=4V1208341.546111.1139233.35.972211028142610.5276.4228.15.97421227113.529810.52146.3218.45.97Ic=2mAVCE=4V14117587.54485.12881.9281.63.436241337168.54325.128158.32723.4364414602302945.128296.4254.63.436Ic=4mAVCE=4V165285142.54523.174164302.61.8452655302654203.174308.7284.81.8454657003502773.174552.5254.81.845Ic=2mAVCE=12V13015376.55467.14287.6350.642303001505357.142170.8341.744304202103757.142325.3325.34Relatiile de calcul folosite pentru completarea tabelului 3Experimental:Av=Vo/ViAi=Rb/RL*Vo/V-Vi,Rb=100K Ri=100Vi/V-Vi Calculat:Av= o8RL/rbc(1+Rc/rce)Ai= o/(1+RL/rce)Ri=rbeSe folosesc datele din tabelele 1 si 2.Comportarea neliniara a tranzistoruluiMontajul experimental este descris in figura 3.Tabelul 4.1LimitareinVo [V]ExperimentalCalculatTaiere2.32.12Saturatie3.55.65R2=1K tabelul 4.2LimitareinVo [V]ExperimentalCalculatTaiere6.48.48Saturatie6.35.65Relatiile utilizate in complectarea tabelelor 4:Saturatie Vo=VCETaiere Vo=RCICVo=1/21/2VoIn tabelul 5 se compara valorile experimentale ale pantei tranzistorului cu cele calculate (teoretice) determinate de relatia gm=40ICTabelul 5IC [mA]1234gm [mA/V]Experimental4085120175Calculat4080120160